图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | * |
| 安装类型 | * |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | * |
| 供应商设备封装 | * |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 170 mOhm @ 4.5A, 5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9A (Ta) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 275pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 10nC @ 5V |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.7 V |
| Qg - Gate Charge | 4.7 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 15 V |
| 下降时间 | 38 ns |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 7.3 S |
| Id - Continuous Drain Current | 9 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 153 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 系列 | NTD3055L170 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 典型导通延迟时间 | 9.7 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 28.5 W |
| 上升时间 | 69 ns |
| 技术 | Si |
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